Partikel yang dipakai untuk menyembur implan antara lain silikon oksida (silika), aluminium oksida (alumina), titanium oksida (rutil), hidroksiapatit, dan kalsium fosfat. Permukaan implant akan mengalami deformasi mikro plastis ketika partikel-partikel tersebut menghantam permukaan implan.

Proses penyemburan dengan partikel dikenal dengan nama "sandblasting" dalam bahasa Inggris. Proses ini meliputi pembentukan lapisan dangkal yang halus dengan stres residual. Sebagian dari energi kinetik partikel disimplan dalam bentuk cacat kristal, seperti dislokasi, twin, dan batas bulir. Modifikasi ini meningkatkan energi permukaan materi.

Lapisan dangkal dengan tekanan kompresi residual meningkatkan resistensi kelelahan materi. Nilai stres residual yang diperoleh dari prosedur penyemburan bergantung pada kekerasan dan distribusi ukuran partikel. Pengaruh stres residual belum pernah dianalisis dalam sains implantologi gigi.

Penelitian Wennerbeg et al. pada tahun 1995 mengevaluasi pengaruh kekasaran permukaan pada pembentukan tulang di permukaan implant yang disembur dengan titanium. Sampel disembur menggunakan partikel Al₂O₃.

Setelah preparasi permukaan implan, sampel dipasivasi, dicuci dengan air distilasi, dan dikeringkan. Hasil dari percobaan yang dilakukan pada binatang menunjukkan nilai yang lebih tinggi untuk torsi pelepasan implant dan kontak tulang-implan bagi sampel yang disembur dengan partikel berukuran 25 μm dan 75 μm dibandingkan dengan implant yang diproses dengan mesin dan disembur dengan partikel berukuran 250 μm.

Prosedur penyemburan memungkinkan kontrol ukuran rongga mikro. 

Setelah prosedur penyemburan dengan partikel, sejumlah partikel bisa menempel pada permukaan implan. Partikel-partikel yang menempel ini kontaminan yang menimbulkan kontaminasi. Karena itu partikel-partikel tersebut harus dihapus menggunakan etsa asam dan ultrasonic bath.

Metode penyemburan partikel menggunakan TiO2 juga diadopsi dalam produksi implant TioblastTM (Astra Tech Implant System, Swedia) dan TitaniumFix BlackFix (TitaniumFix Implant, Brazil). TioblastTM disembur dengan partikel titanium oksida ukuran 25 μm yang menciptakan lekukan kecil dengan bentuk dan ukuran yang telah ditentukan sebelumnya. Contoh implant lain yang diberi perlakuan semburan partikel atau sandblast adalah substrat paduan logam titanium produk Bicon (Bicon LLC, Boston, MA) yang disembur dengan alumina dan ditindaklanjuti dengan etsa asam.

Penelitian Wennerberg pada tahun 2003 mengevaluasi implant Tioblast. Penelitian tersebut menunjukkan implant punya Sa = 1,07 μm, Scx = 10,11 m dan parameter permukaan Sdr meningkat 29%.

Etsa asam bisa jadi prosedur lain untuk perlakuan permukaan setelah penyemburan . Perlakuan asam setelah penyemburan menghilangkan lapisan-lapisan atomik permukaan implant yang dirusak oleh prosedur penyemburan, tapi bagian regangan residual tetap berada pada permukaan implan.